中芯能做5奈米！台积电大老揭密 三星3奈米超车下场惨

三星电子抢先在3奈米制程导入GAA技术，并预计在2022年上半年量产，微幅领先台积电在先进制程的进展，不过，浸润式微影之父、台积电前研发副总林本坚却指出，三星每次都喊超前，但3奈米以下先进制程投资巨大，相对是吃力不讨好，台积电则是早就开始部署，且并不一定只能朝制程微缩的方向前进。

三星早些时间透露，2022年上半年将推出3奈米制程GAA技术，为第一代 3 奈米 3GAE 技术，2023 年推出新一代3 奈米 3GAP技术，2025 年 2 奈米 2GAP 制程投产，目前3奈米良率也正朝着4奈米制程逼近。台积电则是在2022年下半年量产3奈米制程、延续FinFET电晶体架构，打算在进入2奈米制程才导入GAA技术。

英特尔则是在执行IDM 2.0战略下，重返晶圆代工业务，在7月公布先进制程技术蓝图指出，将原本的10 奈米 Enhanced SuperFin正名为Intel 7，原先的7奈米正名为Intel 4，并开始导入高数值孔径（High NA）EUV微影技术，之后每年分别推出Intel 3、Intel 20A、Intel 18A制程。20A制程对照台积电2奈米，并导入RibbonFET、为英特尔版本的GAA技术，届时英特尔将追上台积电先进制程技术时程。

在三星、英特尔追击下，台积电压力沉重，但业界看好台积电小心谨慎发展，避免出差错。林本坚则是认为，3奈米之后要再微缩下去是吃力不讨好，有很多方法可以做，可以不用再继续向下微缩，先进封装是方法之一，虽然不一定省钱，但却是增加效能的方式，朝着运算架构最佳化也可以改善效能。

林本坚指出，微影技术及产能的投资成本很高，若只能微缩一点点，不见得每个人需要，以中芯国际来说，不一定要用到EUV微影设备，现有设备就可以推进到5奈米制程，实际上能否做到，端视技术研发功力是否到位。