工研院携手UCLA引领创新记忆体科技

经济部技术处表示，工研院的研发基础吸引具有前瞻研发技术研发能量的顶尖学术机构UCLA与工研院合作开发电压控制式磁性记忆体（Voltage Control Magnetic RAM; VC-MRAM）。其与SOT MRAM相比，VC-MRAM具有更快写入速度（缩短50%）、读写能耗更低（减少75%）的特性，非常适合AIoT及汽车晶片的应用需求。

此次合作，双方强强联手，进一步投入创新记忆体科技开发与产业化进程，并强化美国重要合作伙伴的关系，成功协助国内外厂商提升国际竞争力，于下世代先进制程上抢占先机。 工研院电光系统所所长吴志毅指出，工研院多年前就深耕MRAM技术，从元件创新、材料突破、电路优化等方式展开研究，成功开发出国际领先的磁性记忆体技术。

今年在DARPA与经济部技术处支持下，与UCLA签订合作开发计画，更成为工研院第一个获得DARPA实际支持的合作案例；未来将以工研院深厚的技术基础结合UCLA创新概念，深化在电压控制式磁性记忆体（Voltage Control Magnetic RAM; VC-MRAM）技术的研发，携手将低耗电与可靠度推进到新层次，进而协助臺湾半导体产业抢攻消费性电子、车用电子与AI人工智慧应用庞大商机。 UCLA电气工程特聘教授Kang Wang表示，工研院为国际级的应用研究机构，拥有独特与强大的专业知识与技术能力，在MRAM技术上更有稳固的基础与研发实力，如今双方能携手合作，势必能在基础上往上堆迭，开创更前瞻先进的成果。

UCLA电路和嵌入式系统教授和区域总监Sudhakar Pamarti则指出，工研院拥有开发元件、制作验证的平台与开发经验，透过实现UCLA制程开发的创新概念，将材料元件的开发往相关应用推进，期待2023年初之时，以世界顶尖的技术，翻转下世代记忆体里程碑。