下一代半导体研发园区动工 三星拟投资20兆韩元

这是三星电子自2014年以来时隔8年在国内新建研发中心，该研发园区总面积约10.9万平方公尺，将主管NAND快闪记忆体、晶圆代工、系统新片等新技术研发。三星电子相关人士表示，若建成具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品研发时间，提升半导体品质。

专家指出，李在镕出席动工仪式意在凸显其对技术的高度重视，强调只有拉开「超级差距」才能生存下来。