《半导体》营运下行风险增多 外资砍力积电目标价至2字头

美系外资指出，贡献力积电营收约40％的消费型DRAM定价条件正在恶化，现货价格折扣达约30％，预期第三、四季售价均可能季减14～16％，且明年单季可能持续下滑。

由于CMOS影像感测元件（CIS）市场需求疲弱，美系外资指出，三星短期内正将CIS产能收回生产DDR3。长期而言，SK海力士及三星并未放弃消费型DRAM市场，正将4GB产品转换至DDR4。

其次，成熟制程贡献力积电营收约55％，美系外资认为，力积电主要客户重新谈判长约（LTA）价格、试图提前重新安排订单的风险正在显现。由于成熟制程至少未来2～3季供过于求，认为力积电同意重新谈判只是时间问题，使营收及毛利率面临更大的下行风险。

同时，美系外资认为力积电明年不仅是面对产业低迷，还涉及铜锣P5厂投资和晶合集成（Nexchip）竞争等更多特有问题。铜锣P5厂扩产明年估将亏损30亿元、约达营业利益的20～25％，且在2024年前很难达到损平，晶合集成激进的扩产计画则是另一个长期威胁。

由于调降消费型DRAM价格预期，美系外资将力积电第三、四季获利预期分别调降1％及6％。同时认为由于力积电积极扩产、利基型DRAM售价疲弱及产能定价能力减弱，认为市场高估力积电明后2年毛利率，市场共识存在下行风险。

儘管力积电股价今年以来已腰斩，远高于大盘的下跌18％，但美系外资认为力积电下行空间更大，维持「逊于大盘」评等，并将目标价自33元调降至27元。美系外资对力积电明年毛利率预期低于市场共识5.6个百分点，明后年每股盈余预期则较市场共识低37％、20％。