《科技》美禁令再砍记忆体 在陆生产比重恐续降

根据TrendForce调研，此次更新的限制范畴主要在逻辑IC(例如FinFET或GAAFET)的16/14nm或更先进制程、DRAM的18nm或更先进制程、NAND Flash晶片的128层或更高层数产品三个部分。

对记忆体产业衝击分析，TrendForce指出，根据美国商务所公布的新规范，在DRAM部分将限制在18nm制程(含)以下设备需要商务部审查后方能进口，此举将会大幅限制或递延大陆DRAM未来持续发展。CXMT(长鑫存储)坐拥大陆境内最大中系记忆体市占，自今年第二季起，该公司致力于19nm制程跨入17nm制程；虽然该禁令发布前已加速购买未来所需机台，但数量上仍显不足。加上CXMT仍持续兴建新厂房，其中含合肥Phase2以及与SMIC(中芯国际)商谈中的SMBC(中芯京城)，后续都会面临设备取得的难题。

除CXMT外，受到限制令影响的还有SK hynix(SK海力士)位于无锡的DRAM生产基地C2厂。该厂占全世界总DRAM产能约13%，其制程转进已演进到1Ynm及更先进制程，意即后续的持续新增投产所需设备都要有个案许可证。

TrendForce同时观察到，在地缘政治的考量下，虽然当下市场需求低迷，严重供需失衡，DRAM市场中的三大原厂仍规画在未来10年内在母国增建产能，持续降低在大陆生产的比重。

在NAND Flash的部分，TrendForce指出，未来进口大陆的NAND Flash生产设备将受更一步限制，尤其针对128层(含)以上设备要求事先核准才准进入，预估该法案将大幅衝击大陆YMTC(长江储存)长期厂区升级计画，以及Samsung(三星)西安厂、Solidigm在大连的制程转进规划。

TrendForce指出，此禁令将限制YMTC进一步扩大客户版图，现阶段YMTC已积极送验SSD产品，希望于2023年成功打入非大陆厂商客户供应链。未来随着禁令影响显现，美国政府对大陆记忆体产业发展採取较严格的限制措施，将使得后续非大陆客户对于YMTC的使用与意愿大幅限缩。