从个人消费电子、资料中心的伺服器电源到航太卫星设备，无所不在的电子设备正在消耗前所未有的电力，随着功耗增加，在更小的体积实现更高的功率密度是产业共同的目标。例如，存放资料中心与伺服器的空间有限，伺服器电源架构需要更高的功率密度，才能在有限的体积内提供足够的电力，同时，也需要提升伺服器电源的效率来降低冷却系统的成本。
德州仪器Kilby Lab电源管理与研发总监Jeffrey Morroni博士表示：「虽然提高切换频率可增加功率密度，但可能会伴随切换耗损增加以及温度上升的副作用，若要实现前所未有的功率密度，必须同时应对限制密度的每个因素，包含降低切换耗损、提升封装热性能、採用创新的拓朴与电路以及高整合设计。同时，若要实现绝佳的装置性能与品质因数（FoM，Figure of Merit），则必须投资创新半导体技术。德州仪器已投入电源与氮化镓（GaN，Gallium Nitride）研究十余年，具有领先业界的技术量能，并已成功开发具有最佳性能、适合高电压切换的解决方案。」
凭藉丰富研发经验，TI应用其制程技术、封装与电路架构创新，帮助工程师开发能提升散热的电子产品，包含近期推出的三款电源管理解决方案：TPS566242高功率密度同步降压转换器、TPS25985 eFuse以及LMG3522R030-Q1 GaN FET。这些创新解决方案能以更小的封装体积改善系统稳健性并提高功率密度，且不影响系统成本与性能。
发表意见
中时新闻网对留言系统使用者发布的文字、图片或檔案保有片面修改或移除的权利。当使用者使用本网站留言服务时，表示已详细阅读并完全了解，且同意配合下述规定：
违反上述规定者，中时新闻网有权删除留言，或者直接封锁帐号！请使用者在发言前，务必先阅读留言板规则，谢谢配合。