英特磊：全年成长目标不变

在产业、市场普遍黯淡之际，高永中指出，英特磊情况将较预期好，因上一季度发现砷化镓（GaAs）应用于手机部分需求快速下滑，随即调整方向，将产能调配置HBT、APD等，因此，虽消费性电子疲弱、大环境不稳，但磷化铟（InP）营收持续有显着贡献，加上锑化镓（GaSb）等也稳定，推升第三季营运表现优于去年。

在应用端部分，高速传输元件与光纤网路各占英特磊营收约三成，红外线侦测和包括物联网、航太、无线通讯在内的射频，则各占约一成五，以上合计近九成，整体市场需求趋势皆向上。

磷化铟磊晶片主要产品PIN、HBT需求稳定，APD订单成长较快速，量产客户数渐增，平均订单金额较以往增加。此外，以磷化铟材料为主的长波VCSEL与QCL雷射产品研发订单亦提高。

锑化镓产品因美国国防大厂年度剩余预算在第四季释出，加上美国盟国对锑化镓磊晶片增高需求，相关营收增加可期；主力开发项目为次代红外夜视器。

英特磊第三季购入MBE7000生产机台5座，部份将升级增加产能，部份将转售策略伙伴及客户，目前将持续完成组装现有机台，并洽谈机台销售及升级服务合约。