三星积极发展先进晶片制程技术,先前喊话1.4奈米要抢先台积电在2027年量产,三星代工厂副总裁Jeong Gi-Tae近日受访时透露1.4奈米制程细节,将增加奈米片的数量。
根据DigiTimes报导,Jeong Gi-Tae接受韩媒採访时说,三星即将推出的SF1.4(1.4奈米级)制程技术,将把奈米片的数量从3个增加到4个,这样的作法将显着改善晶片的性能和功耗。
三星去年6月量产了SF3E(3奈米级环栅),引进全新的GAA架构电晶体技术,明年计划迈向SF3的第二代3nm制程技术,2025年则预计推出效能增强型SF3P技术,并大规模量产SF2(2奈米)制程。到了2027年再推出SF1.4制程技术。
报导指出,三星增加每个电晶体的奈米片数量可增强驱动电流,进而提高性能。而且,更多的奈米片代表可以更好地控制电流,有助于减少漏电流、降低功耗,还能提高功率效率。
台积电计划要在2025年进入2奈米制程。三星则想凭藉在GAA的丰富经验,增加其在代工市占率的优势。
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