随着AI人工智慧发展,新世代记忆体为各家大厂研发重点,经济部科专计画补助工研院与晶圆制造龙头台积电合作,双方携手开发出自旋轨道转矩磁性记忆体阵列晶片搭配创新的运算架构,适用于记忆体内运算,且功耗仅为STT-MRAM的百分之一,成果领先国际,并于国际电子元件会议共同发表论文,展现次世代记忆体技术的研发能量。

经济部产业技术司表示,随着AI人工智慧、5G与AIoT时代的来临,需要快速处理大量资料,因此更快、更稳、功耗更低的新世代记忆体成为重要的关键。经济部支持产业与相关法人建立深厚的前瞻记忆体研发能量,期待技术成果可以逐步在产业落实。

工研院电子与光电系统所所长张世杰指出,工研院和台积电继去年在全球半导体领域顶尖之超大型积体技术及电路国际会议共同发表论文之后,今年更开发出兼具低功耗、10奈秒高速工作等优点之SOT-MRAM单元,并结合电路设计完成记忆体内运算技术。

张世杰表示,该技术进一步提升运算效能,跳脱了MRAM已往以记忆体为主的应用情境,双方将研发成果共同发表在IEDM 2023,未来此技术可应用于高效能运算、AI人工智慧及车用晶片等。

工研院致力推动国内半导体市场开启新兴应用,擘画2035技术策略与蓝图作为研发方向,在智慧化致能技术应用领域,研究发展非挥发性记忆体创新技术,期望开拓新记忆体市场的新星,协助国内产业界,发展高价值的技术与产品。

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