此外，该公司计划将于2025年下半年推出12层HBM4，2026年推出的16层HBM4。至于16层HBM4的封装技术，公司将决定採用原本的MR-MUF，或改採 Hybrid Bonding 以降低厚度。
SK海力士推12层HBM3E 预计9月底量产
SK海力士在HBM3E保持领先地位，该公司採用MR-MUF堆迭技术，封装良率表现优于同业，8层HBM3E已于今年3月开始出货给Nvidia，且公司在半导体展指出，12层HBM3E预计将于9月底量产，时间点早于原先规划的第四季。
SK海力士在HBM3E保持领先地位，该公司採用MR-MUF堆迭技术，封装良率表现优于同业，8层HBM3E已于今年3月开始出货给Nvidia，且公司在半导体展指出，12层HBM3E预计将于9月底量产，时间点早于原先规划的第四季。
此外，该公司计划将于2025年下半年推出12层HBM4，2026年推出的16层HBM4。至于16层HBM4的封装技术，公司将决定採用原本的MR-MUF，或改採 Hybrid Bonding 以降低厚度。
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