有别于三星2奈米良率低迷,台积电再传捷报,根据《Tom's Hardware》报导,台积电预计明年下半年开始量产2奈米制程,台积电员工在X平台上指出,团队成功将测试晶片良率提高6%,为客户节省数十亿美元。
根据台积电员工的说法,团队成功将2奈米制程的良率提高了6%,为客户节省了数十亿美元,但并未透露改善的是SRAM测试晶片,或是逻辑测试晶片的良率。
报导分析,台积电明年1月开始提供2奈米技术的shuttle测试晶圆服务,目前不太可能改善2奈米制造最终实际晶片原型的良率。
而提高SRAM和逻辑测试晶片的良率非常重要,因为可以为客户节省大量成本,从更高的良率中受益。
报导指出,台积电2奈米制程採用GAA奈米电晶体的制程,可大幅降低功耗、提升效能和电晶体密度,尺寸小于3奈米FinFET 电晶体管,能在不影响效能的情况下,改善静电控制和减少漏电,以实现更小高密度 SRAM 位元单元。
反观三星虽然超前切入GAA技术,却传出因德州厂2奈米良率最多20%,良率太差已从德州泰勒(Taylor)厂撤回工作人员。
文章来源:tomshardware
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