挺进亚洲最大电子展 工研院东京发表车用驱动碳化硅功率模组

亚洲最大国际电子展「日本国际电子制造关连展（NEPCON JAPAN）」今（22日）在东京举行，工研院前进发表车用碳化硅（SiC）技术解决方案，并以「电动车驱动及充电方案」、「功率氮化镓（GaN）」、「功率氧化镓（Ga2O3）」以及「400kW大电力直流变压器」四大专区，展示逾10项新一代宽能隙功率半导体前瞻技术成果，吸引逾8万人次参观，车辆零件商、车厂制造商会中洽谈合作。

工研院电子与光电系统研究所长张世杰表示，要让电动车能在高压、高温下稳定运行，具备更高的功率密度的宽能隙化合物半导体材料一碳化硅（SiC），成为目前电动车技术深受关注的元件材料。本次展出与台达共同开发的碳化硅功率模组，是具备提升电动车动力效能、延长续航能力、加速充电设备发展的最新车载半导体技术，已通过可靠度测试，期盼打入欧美日汽车产业关键客户。

在「400kW大电力直流变压器」展区中，则展出与美国阿肯色大学合作，透过该院开发的3.3kV碳化硅功率模组整合于400kW直流变压器。验证于直流电压1800V、电流375A、操作温度150℃的条件下，模组切换损失比商用模组节省30％，系统效率并可达到98％以上的效能，可推升未来再生能源及储能等超高电压的电力转换系统应用。