《半导体》记忆体添力 南茂续拉涨停、1年半高价

南茂今年第三季毛利率强升至12.4%，主因产品组合、记忆体封测需求、产能利用率，单季EPS为0.50元，远高于市场预估。展望今年第四季，南茂仍预期记忆体将是关键成长驱动力，相关服务的产能利用率将持续提升。南茂认为DDR4和DDR5需求持续强劲，而NAND Flash动能将因库存调整而略微放缓。另一方面，显示器驱动IC将维持疲软，因终端需求仍然偏弱。然而，车用面板及美系智慧型手机品牌的OLED需求依然强劲。在混合信号方面，公司亦将扩展其业务至DDR5模组的PMIC及智慧装置的逻辑产品。

南茂可望将享有记忆体市场的强劲成长驱动力，由于主要记忆体厂商严格遵循其产品生命周期结束计画，预期DDR4 ASP的利多因素将持续至2025年底。其中在ASP方面，南茂仅调涨价格以反映其来自金价上涨的成本压力，对产能利用率方面有所改善，市场估计南茂封装服务的产能利用率，在明年可能达到75%的水准，而测试产能利用率将维持在65%的水准。

南茂明年营运展望，法人看法转为乐观正向，并上修南茂明后年的营收与毛利率预估，主要基于更佳的产能利用率假设及更佳的外匯假设。