台积3奈米 明年下半年量产

台积电持续投资研究与开发，去年全年研发总预算约占总营收8.2％且来到1,095亿元，此一研发投资规模相当或超越了许多其他高科技领导公司的规模。

台积电的3奈米技术作为第六代三维电晶体技术平台，持续全面开发，并与主要客户完成硅智财设计及开始进行验证的同时，台积电已开始全面开发领先半导体业界的2奈米技术，同时针对2奈米以下的技术进行探索性研究。

台积电表示，3奈米FinFET技术开发依照计画进行并有很好的进展。此一领先全球的技术同时针对行动通讯与HPC应用提供优化的制程，预期今年将接获多个客户产品投片，预计明年下半年开始量产。相较于5奈米技术，3奈米逻辑密度将增加70％，效能提升15％，而且功耗降低30％。

台积电去年完成2奈米初步研究及路径寻找之后，今年2奈米制程技术的研发阶段，着重于测试键与测试载具之设计与实作、光罩制作及硅试产。而在微影技术及光罩技术部分，台积电今年在2奈米及更先进制程上将着重于改善EUV微影技术的品质与成本，并持续精进EUV光罩技术以满足2奈米微影技术在光罩上的需求。

台积电5奈米领先量产，去年已开始为苹果等多家客户量产行动通讯及HPC相关晶片，5奈米强效版（N5P）採相同设计准则，去年底台积电已接获多个客户产品投片，并预计今年进行N5P技术量产。