抢商机 应材推新电子束量测系统

先进晶片是一层一层建构起来的，其过程中数十亿个结构的每一个都必须被完美地图案化（patterned）和对准，才能制造出具有最佳电性的电晶体和互连架构。但随着业界普遍从简单的2D设计转向更进阶的多重成像和3D设计，如要完成晶片的每个关键层（critical layer），实现最佳的晶片效能、功率、单位面积成本、上市时间（PPACt），就需要突破的量测技术。

传统图形控制是利用光学迭对（overlay）量测机台来实现，这些机台可以量测替代目标（proxy target）来协助裸晶（die）图案对准，在裸晶分割过程中，印在裸晶切割道上的替代目标会从晶圆上移除。替代目标近似法，还包括在整个晶圆量测少量裸晶图案的方式获取採样统计。

然而，经过连续几代的尺寸微缩、多重图案化的广泛採用、以及导致层间失真（interlayer distortion）的3D设计引进后，传统方法会造成量测缺陷（即盲点），使工程师更难将预期图案与晶片上的结果作相互关联。

新的电子束系统技术，可以高速穿透晶片多层结构并直接量测整个晶圆半导体元件的结构，所以客户开始採用以大数据为基础的图形控制攻略。应用材料最新的电子束量测创新技术PROVision 3E系统就是针对这种新攻略特别设计。

应用材料影像与制程控制事业部副总裁暨总经理基思．威尔斯（Keith Wells）表示，PROVision 3E系统具备的解析度和速度，能够超越光学量测的盲点，并对整个晶圆和晶片的多层结构之间执行准确的测量。同时晶片制造商还能藉此获得必要的多维度资料，用以改善PPAC并加快新制程技术和晶片上市时间。

PROVision 3E系统具备的技术，能够对当今最先进设计的晶片进行图形控制，包括3奈米晶圆代工逻辑晶片、环绕闸极（GAA）架构电晶体和下一代DRAM和3D NAND。