《热门族群》DRAM看止跌小涨 记忆体族群重整旗鼓

据市调机构集邦科技统计，12月以来，记忆体综合价格指数(DXI)已大涨逾二成，并预期明年第1季合约价止跌。

据集邦科技观察，美光(Micron)桃园厂跳电意外，带动DRAM现货价提前于12月开始涨价，加上年底及农历年补货需求升温，推升DRAM现货价走扬，12月来现货价涨幅达1至2成。据集邦科技统计，12月来DXI已攀升26%。集邦预期，明年第1季在市场供需趋于健康，DRAM合约价也将止跌回稳，不排除有机会微幅上涨。

DRAM合约价明年首季看止跌回稳，对南亚科、华邦电(2344)等业者后续营运有利。

此外，美国政府将中芯国际列入禁止贸易的实体清单，旺宏(2337)及华邦电可望持续受惠于转单效应，NOR Flash供需并将转好，有利价格上扬。

由于大陆NOR Flash大厂兆易创新每月委由中芯国际代工1万片，先前美国限制设备出口中芯国际，旺宏及华邦电已有转单效应，因中芯国际正式被美国列入黑名单，可能进一步影响市场供需状况。

记忆体制造厂旺宏董事长吴敏求先前表示，中芯为中国记忆体厂兆易创新代工，若中芯被美国列入黑名单，不排除造成NOR Flash市场供不应求。

先前美国限制设备出口中芯国际，已带来台厂转单效应。苹果担心中芯无法顺利为大客户兆易创新代工生产编码型快闪记忆体(NOR Flash)，因而将原本预计交给兆易创新的新iPhone OLED面板外挂NOR Flash订单，改下给华邦电及旺宏两家台厂。