SiC适合高功率应用，如储能、风电、太阳能、电动车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业。其中，电动车备受市场关注，不过目前市售电动车所搭载的功率半导体多数为硅基材料（Si base），如Si IGBT、Si MOSFET。
但由于电动车电池动力系统逐步往800V以上的高电压发展，相较于Si，SiC在高压的系统中有更好的性能体现，有望逐步替代部分硅基设计，大幅提高汽车性能并优化整车架构，预估SiC功率半导体至2025年可达33.9亿美元。
第三代半导体下半年8吋基板量产 年复合成长48％
目前最具发展潜力的材料即为具备高功率及高频率特性的宽能隙（Wide Band Gap；WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），主要应用大宗为电动车、快充市场。据TrendForce研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48％。
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