英特尔4奈米下半年量产 效能比7奈米增逾20％

英特尔（Intel）4奈米预计今年下半年量产，将採用极紫外光（EUV）系统，与7奈米相比，在相同功耗可提升效能逾20%。

英特尔近期于美国檀香山举行的VLSI国际研讨会，公布4奈米（Intel 4）制程的技术细节。英特尔今天发布新闻稿表示，相较于7奈米（Intel 7），Intel 4于相同功耗提升20%以上的效能，高效能元件库密度是2倍。

英特尔指出，Intel 4于鳍片间距、接点间距以及低层金属间距等关键尺寸，持续朝向微缩的方向推进，同时导入设计技术偕同最佳化，缩小单一元件的尺寸。

透过鳍式场效电晶体（FinFET）材料与结构上的改良提升效能，英特尔表示，Intel 4单一N型半导体或是P型半导体，其鳍片数量从Intel 7高效能元件库的4片降低至3片。综合上述技术，Intel 4不仅能够增加逻辑元件密度，并缩减路径延迟和降低功耗。

英特尔指出，Intel 4加入网格布线方案，简单化并规律化电路布线，提升效能，同时改善生产良率。Intel 4採用新的金属配方强化铜，使用铜做为导线、接点的主体，取代Intel 7所使用的钴，外层再使用钴、钽包覆。

英特尔并广泛使用EUV减化制程，可大幅度减少光罩数量和制程步骤。英特尔表示，Intel 4进展顺利，将依计画于今年下半年量产，以满足电脑客户端产品Meteor Lake的需求。

英特尔更指出，将导入全球第一款量产型高数值孔径（High-NA）EUV系统，并将于2025年重回半导体制程领先地位。