力旺在嵌入式MRAM或ReRAM矽智財市場已有突破性發展，去年與聯電合作完成40奈米嵌入式ReRAM可靠性驗證，並投入22奈米嵌入式MRAM或ReRAM製程IP開發。力旺指出，與傳統eFlash製程相較，嵌入式MRAM或ReRAM可減少光罩層數，更容易進行製程整合，且適用於28奈米以下先進製程，新興嵌入式記憶體可擴展力旺IP產品組合。
力旺看好車用晶片導入嵌入式MRAM趨勢，因為28奈米以下製程若採用傳統eFlash製程，將導致成本拉高及微縮難度增加等問題，且MRAM有耐高溫優勢，溫度改變不影響磁性，因此許多車用MCU廠已開始轉向採用嵌入式MRAM技術來取代現有的eFlash製程。
在晶圓代工廠積極擴建28奈米產能下，力旺今年將進入全面收割階段，28奈米權利金貢獻將大幅增加至30％以上。
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