在2021年三星晶圓代工論壇上,這家韓國半導體大廠製造商透露未來在晶圓代工的製程節點、運營層面與服務內容等。外界認為,這是三星少東李在鎔在8月中出獄後,首次祭出針對台積電的未來攻防策略。
僅次於台積電,位居全球第2大晶圓代工廠的三星表示,計劃先在2022上半年,在3奈米(nm)製程上使用GAA(閘極全環電晶體技術)。
目前來說,下一代晶片應該還是會建構在5nm製程上來發展,但為拔得頭籌,各大廠也投入大量人力與財力在積極開發3nm。其中,台積電可能在2022年就會量產3nm製程產品。
同時,台積電還是選擇FinFET(鰭式場效電晶體技術),但三星卻走另條路,採用GAA且已邁向量產之路。GAA簡單來說,是利用改良式的電晶體結構,以便更佳地來控制電流,更低運行功耗下進而提高效能。
三星表示,計劃在2023年使用第2代3nm製程,並在2025年時,使用GAA產出的2nm技術來量產晶片。依三星的GAA技術專利來看,晶片面積可望減少35%,功耗降低50%,功率提高30%,並提升至與採用FinFET技術5nm製程一樣的性能。
三星也指出,與28nm製程相比,自己最新的17nm製程可以讓晶片面積減少43%,能效提高49%,同時性能提高39%。至於升級後的17nm製程可應用於主要使用28nm的影像感測器與行動顯示積體電路等產品。
三星表示,會提供更多樣解決方案供客戶參考,也會將自己現有的14nm技術應用在單晶片產品上。對於應用在通訊方面的8nm射頻技術,三星說要確保在5G通訊晶片的領先地位,尤其是支援5G頻段Sub-6與毫米波頻譜的產品。
三星宣布,將於11月舉辦三星SAFE論壇,並打算用這個晶圓代工完整生態圈會議,加強自己與協力廠跟客戶間的業務關係。
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