搜寻结果
以下是含有LPDDR的搜寻结果，共30笔
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全球首家！辉达市值跨越5兆美元
辉达执行长黄仁勋28日在GTC科技大会驳斥AI泡沫忧虑，并预期最新晶片可望在未来几季创造5,000亿美元营收，乐观谈话激励市场信心，带动辉达股价和市值狂飙。
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《科技》高通扩张AI版图 AI200、AI250锁定资料中心推论市场
高通技术公司今（29）日宣布推出新一代专为资料中心AI推论最佳化的解决方案，以高通AI200与AI250晶片为基础打造的加速卡及机架系统，能以出色的每美元每瓦效能支援高速生成式AI推论，为推动跨产业可扩展、高效且灵活的生成式AI应用迈出重大一步。高通AI200与AI250晶片预计将分别于2026年与2027年正式上市。
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高通攻推论AI 带旺台封测链
高通（Qualcomm）正式宣布进军AI200／AI250推论AI资料中心市场，将行动晶片的能效优势延伸至伺服器领域，首批AI200预计2026年进入量产。法人指出，高通这波「由行动跨入资料中心」的转型，不仅改写AI晶片生态，也将使多模组、高密度的SiP（系统级封装）与记忆体模组测试需求增加，将为台系封测双雄日月光（3711）与力成（6239）开启新一轮成长动能。
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OpenAI新计画 设备厂抢上车
OpenAI启动名为「Stargate」的超大型资料中心计画，将推升记忆体产业，于未来四年投入高达1,600亿美元资本支出，其中，晶圆设备（WFE）支出约1,120亿美元、后段封测与测试产能约480亿美元。
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2025记忆体高峰论坛 创新局
人工智慧应用加速成长，记忆体与运算架构创新已成产业竞争核心焦点。SEMICON Taiwan 2025记忆体高峰论坛上，SK海力士与三星电子两大记忆体巨头罕见同台，直言记忆体已是AI时代的战略制高点。
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辉达GB300量产 Rubin系列暖身
晶片大厂辉达（NVIDIA）28日公布2026财年第二季财报，执行长黄仁勋表示，Blackwell系列全面展开出货，GB300已进入全速量产，单季贡献突破百亿美元。供应链透露，新世代Vera Rubin系列也已在晶圆代工厂进行暖身，其中，Rubin GPU採用台积电N3P制程打造，并以CoWoS-L先进封装整合；Rubin Ultra则规划导入方形载具，推动供应链积极投入CoPoS发展。
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Q2营收、获利双创高 SK海力士估HBM销售优去年
韩国半导体大厂SK海力士公布第二季财报，受惠于生成式AI晶片所需的高频宽记忆体（HBM）需求强劲，营收与获利双双创下歷史新高，并且超出市场预期。它还预估今年HBM销售有机会较去年翻倍。
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《半导体》智原新DDR/LPDDR实体层IP方案 支援联电22ULP与14nm制程
智原（3035）宣布推出可支援DDR与LPDDR第三至第五代的通用实体层IP，适用于联电（UMC）22ULP与14FFC FinFET制程。智原持续专注于提供优化的自有IP解决方案，协助ASIC客户提升开发效率、降低开发风险，并强化产品的成本竞争力。
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辉达RTX PRO 6000出货量添变数
针对专业工作负载与AI应用所设计的NVIDIA RTX PRO 6000系列产品，尚未上市已备受瞩目。业界人士预期，在需求支撑下，整体出货将有不俗表现。
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中、韩厂加速布局次世代记忆体
韩厂三星与陆厂长鑫存储积极布局次世代记忆体。据业界消息，三星位于韩国华城的DRAM第17产线（Line 17）正推动制程转换，预计从DDR4转向14／16奈米等先进制程，配合高频宽记忆体（HBM）与次世代DRAM量产。
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《半导体》南茂首重提升稼动率 Q2记忆体动能较强
南茂(8150)周二召开法说会，由董事长郑世杰主讲。展望后续营运，南茂董事长提到，今年整体产业状况相当不明朗，后续不确定性仍高，南茂策略以提升稼动率为优先考量。不过记忆体营收动能受惠记忆体价格回稳，第二季记忆体整体动能优于DDIC产品，下半年记忆体状况亦可望较佳，DDIC则不明朗。
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《科技》美光联手辉达 推全球首款SOCAMM记忆体模组解决方案
美光(Nasdaq：MU)周二宣布成为全球首家且唯一同时出货HBM3E及SOCAMM(小型压缩附加记忆体模组)产品的记忆体厂商，这两款产品专为资料中心AI伺服器设计，可望进一步巩固美光在业界的领先地位，尤其展现其在资料中心应用低功耗双倍资料速率(LPDDR)记忆体的开发和供应方面的优势。其中美光与NVIDIA合作开发的SOCAMM是一款模组化LPDDR5X记忆体解决方案，专为支援NVIDIA GB300 Grace Blackwell Ultra超级晶片而设计。
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美设备禁令升级 台DRAM厂间接受惠
美国商务部升级对中国大陆半导体设备出口禁令，限制25奈米级以上设备的採购与技术支援，衝击陆厂长鑫存储的产能扩张，因客户可能转向台湾採购成熟制程产品，间接让台厂如华邦电、南亚科受惠。
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半导体伙伴大会师 台积OIP、TSIA年会 接力上阵
半导体盛事一波接一波，台积电OIP（开放创新平台）6日于新竹登场，台湾半导体产业协会（TSIA）年会紧接着于7日举行，凸显台湾半导体技术扩张至全球的创新优势。供应链透露，苹果评估在A20 Pro首先搭载台积电2奈米制程，并结合CoWoS-R、InFO封装特性之WMCM（晶圆级多晶片模组）封装，将手机AP与LPDDR进行整合，将大幅提高运算效能并降低功耗，高通、联发科及英特尔也进行评估。
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Arm加持！神盾攻AI伺服器CPU
神盾积极转型，透过Arm Neoverse运算子系统（CSS）抢进AI伺服器CPU市场。董事长罗森洲指出，神盾未来将以IP（硅智财）为主，提供集团子公司火力支援，其中，手握乾瞻UCIe晶片互联关键，更是业界领先台积电进行3奈米开发之团队；他透露，明年将有4奈米CPU晶片Tape-out，以Arm CSS V3平台打造。
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元太携奇景 推尖端彩色电子纸时序控制晶片T2000
元太(8069）与奇景光电（纳斯达克代号：HIMX）31日共同宣布，联手开发的新一代彩色电子纸时序控制晶片（ePaper Timing Controller） T2000，以更快的速度、更少的电力驱动画面更新，支援元太全系列彩色电子纸技术平台，瞄准阅读、广告看板与其他电子纸平台应用市场。
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三星新DRAM 取得联发科验证
三星电子16日宣布，该公司最新款的10.7Gbps LPDDR5X DRAM，已针对联发科（2454）即将推出的天玑9400系统晶片完成验证。据了解，两家公司透过密切合作，仅用三个月的时间，就完成了验证。
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《半导体》AI趋势正夯 M31先进制程IP成利器
M31(6643)首次参展于美国旧金山莫斯康展览中心举办的第61届设计自动化大会(DAC)，展示M31最新先进制程硅智财解决方案。M31瞄准在人工智慧趋势下，需利用先进制程技术来提升晶片的计算密度和效能，M31目前已成功推进至3奈米及其他更小几何尺寸制程，可帮助客户达成具差异化和竞争优势的设计目标。
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AI笔电搭载DRAM容量 看增7％
AI NB成长动能看俏，TrendForce预估，随AI NB渗透率自2024年的1％，提升至2025年的20.4％，且AI NB皆搭载16GB以上DRAM，将带动整体平均搭载容量成长0.8GB，增幅至少为7％。
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《科技》AI浪潮推波 NB DRAM明年搭载容量增幅7%起跳
全球市场研究机构TrendForce认为，2025年随着AI应用完善、能处理复杂任务、提供更好的用户体验并提高生产力，将带动消费者对于更智能、更高效的终端设备需求迅速增长，AI NB渗透率将快速成长至20.4%的水位，预期AI NB浪潮亦将带动DRAM Content成长。随AI NB渗透率升破2成，且AI NB皆搭载16GB以上DRAM，将至少带动整体平均搭载容量将成长0.8GB，增幅至少为7%。