在2021年三星晶圆代工论坛上,这家韩国半导体大厂制造商透露未来在晶圆代工的制程节点、运营层面与服务内容等。外界认为,这是三星少东李在镕在8月中出狱后,首次祭出针对台积电的未来攻防策略。

仅次于台积电,位居全球第2大晶圆代工厂的三星表示,计划先在2022上半年,在3奈米(nm)制程上使用GAA(闸极全环电晶体技术)。

目前来说,下一代晶片应该还是会建构在5nm制程上来发展,但为拔得头筹,各大厂也投入大量人力与财力在积极开发3nm。其中,台积电可能在2022年就会量产3nm制程产品。

同时,台积电还是选择FinFET(鳍式场效电晶体技术),但三星却走另条路,採用GAA且已迈向量产之路。GAA简单来说,是利用改良式的电晶体结构,以便更佳地来控制电流,更低运行功耗下进而提高效能。

三星表示,计划在2023年使用第2代3nm制程,并在2025年时,使用GAA产出的2nm技术来量产晶片。依三星的GAA技术专利来看,晶片面积可望减少35%,功耗降低50%,功率提高30%,并提升至与採用FinFET技术5nm制程一样的性能。

三星也指出,与28nm制程相比,自己最新的17nm制程可以让晶片面积减少43%,能效提高49%,同时性能提高39%。至于升级后的17nm制程可应用于主要使用28nm的影像感测器与行动显示积体电路等产品。

三星表示,会提供更多样解决方案供客户参考,也会将自己现有的14nm技术应用在单晶片产品上。对于应用在通讯方面的8nm射频技术,三星说要确保在5G通讯晶片的领先地位,尤其是支援5G频段Sub-6与毫米波频谱的产品。

三星宣布,将于11月举办三星SAFE论坛,并打算用这个晶圆代工完整生态圈会议,加强自己与协力厂跟客户间的业务关系。

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