800V电气架构的革新将促使耐高压SiC功率元件全面替代Si IGBT,进而成为主驱逆变器标配,因此SiC深受车企追捧。Tier1厂商Delphi已率先实现800V SiC逆变器量产,BorgWarner、ZF、Vitesco相继跟进。

目前来看,电动车已成为SiC核心应用场景,其中OBC(车载充电器)和DC-DC转换器元件对于SiC元件的应用已经相对成熟,而基于SiC的主驱逆变器仍未进入大规模量产阶段。对此,STM、Infineon、Wolfspeed、Rohm等功率元件商已与Tier1及车企展开深入合作,以推进SiC上车进程。

其中,上游SiC基板材料环节将成为产能关键制约点,其制程复杂、技术门槛高、晶体生长缓慢。现阶段用于功率元件的N型SiC基板仍以6吋为主,儘管Wolfspeed等国际IDM大厂8吋进展超乎预期,但由于良率提升及功率晶圆厂由6吋转8吋需要一定的时间周期,因此,至少未来5年内6吋SiC基板都仍为主流。而随着电动车市场的爆发,SiC逐渐大规模上车应用,其成本也将直接决定汽车800V高压架构升级进度。

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