650V STP65N045M9与600V STP60N043DM9为首批上市的两款元件，其单位面积的导通电阻（RDS(on)）非常低，可以最大限度提升功率密度，并有助于缩减系统尺寸。两款产品的最大导通电阻（RDS(on)max）皆领先同类产品，STP65N045M9为45m欧姆，STP60N043DM9则为43m欧姆。由于闸极电荷（Qg）十分低，在400V汲极电压时的典型值为80nC，两款元件皆拥有目前市面上一流的RDS(on)max x Qg品质因数（FoM）。
STP65N045M9的闸极阈开启电压（VGS(th)）典型值为3.7V，STP60N043DM9的典型值则为4.0V，相较上一代的MDmesh M5和M6／DM6，可最大限度地降低开关损耗。MDmesh M9和DM9系列的反向恢復电荷（Qrr）和反向恢復时间（trr）亦极低，有助于进一步提升效能和开关性能。
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