如先前预期,台积电3奈米预计在9月开始量产,改良型N3E制程也传出好消息,一张疑似是台积电内部投影片的照片在推特上流传,上面写道,N3E制程研发顺利,进度超前,经过测试后的产品良率表现达到80%。
外媒Tom’s hardware引述推特上一名自称半导体技术爱好者流出的疑似台积电内部投影片进行报导,投影片显示N3E制程256Mb SRAM平均良率达80%,Mobile和HPC晶片的良率也有80%,另外,经过良率验证的环式震盪器性能优于92%。
报导提到,市场上对于N3E制程研发顺利并不惊讶,台积电拥有专门的团队进行技术改良,并期待能生产出更高效率、低功耗的晶片。
事实上,台积电总裁魏哲家曾在7月的法说会上表示,N3E制程是3奈米世代制程的延伸,有更好的效能、功耗和良率,预计明年下半年进入量产,未来3奈米家族将是台积电另一个大规模且有长期需求的技术节点。
此外,魏哲家也透露,台积电3奈米量产后,预计明年上半年贡献营收,2奈米制程则预计在2024年开始试产,隔年进入量产,届时在密度和能源效率上都会是业界最先进的技术,进一步扩展台积电的技术领先地位。
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