美国晶片管制反而激励大陆技术突破，大陆工信部9月初公布「首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）」的通知中，列出可用于生产65奈米或以下晶片的氟化氩光刻机（DUV曝光机），可减少对国外曝光设备的依赖。知名外资分析师杨应超接受「文茜的世界周报」专访时说，65奈米还落后台积电3奈米8个世代，大陆至少要5到10年才能追赶上。
杨应超表示，大陆半导体最大的问题是供应链被卡住，其中光刻机是最大的关卡，因此大陆自产光刻机成功，确实值得他们高兴。不过重点是这台光刻机只有65奈米，落后台积电3奈米8个世代，这8个世代分别为45奈米、32奈米、22奈米、14奈米、10奈米、7奈米、4奈米及3奈米。
杨应超强调，半导体制程越小，所需的技术就越困难，当进度越来越后面，研发时间就越拉越久，因此，虽然大陆成功自产光刻机很值得庆祝，但从技术上来讲看，可能还差得很远。
杨应超说，大陆要赶上现在台积电的3奈米进度，需要5到10年的时间，大陆受到美国制裁影响，只能跟中芯互相切磋，但中芯的技术没有台积电厉害，所以在这方面有点吃亏。
但大陆晶片业实力不容小覷，「日经新闻」先前报导，半导体调查公司TechanaLye社长清水洋治说，中芯的实力只落后台积电3年，尤其中芯採用7奈米技术，却能和台积电5奈米性能同等，代表海思半导体的设计能力已进一步提升。
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