刘佩真》科技战火 延烧记忆体

继先前美国对于中国第一大积体电路设计业者─华为旗下的海思、第一大晶圆代工业者─中芯国际陆续出重手之后，美国总统大选前美中关系仍是属于紧俏的情况，预计科技战烟硝味有可能扩散至中国记忆体，而此举势必又将牵动中国大陆半导体国产化发展的进程，尤其此时正是中国记忆体从无到有的关键时刻。

毕竟中国大陆在无技术授权来源、记忆体人才短缺之下，短期内要进入记忆体国产化的大幅量产，并产生出口的动作，恐有疑虑，毕竟美对福建晋华实施禁令事件，显示美国企业针对防止非市场行为对产业形成破坏较为介意，特别是在美中两强相争持续进行的同时，作为高度全球化的半导体产业，中国大陆在发展自有记忆体产业，也挑动美国的敏感神经，未来市场势必关注美国是否对长江存储、合肥长鑫的出手。不过由于中国大陆现阶段实质在记忆体的产出极微有限，因此美国即便对于长江存储、合肥长鑫祭出管制措施，对于韩、美、日、台的转单效应较为有限，反而限缩中国记忆体跨越式的发展意义较大。

至于回归至全球记忆体市况的变化方面，虽然2020年上半年因新冠病毒肺炎疫情所衍生的科技商机，相对使得NB、伺服器、资料中心等对于DRAM需求有所提升，加上电竞产品、游戏机需求也因宅经济发威而显强劲，此则使得DRAM出货量呈现上扬，相对带动一波DRAM的涨势；但下半年则因华为拉货效应于9月中旬过后结束，加上伺服器、资料中心等应用市场的订单已多于上半年进行备货，故导致DRAM价格显得较为疲弱，故估计2020年DRAM价格全年跌幅恐仍有1成以上，但整体而言，相较于2019年全年跌幅达4成以上，整体价格走势下跌幅度已显收敛，而DRAM景气整体的恢復则相对寄望于2021年。

由于2020年下半年国内外DRAM供应商资本资出趋向保守，特别是韩国三星削减2020年DRAM资本支出，便是有助于后续产业供需平衡，因此2021年上半全球DRAM供给位元成长幅度将相对有限；另一方面，2021年上半年全球DRAM需求面则相当具有成长潜力，主要系因占DRAM需求高达４成的智慧机手机市场，2021年起将摆脱低迷，出货量可望恢復成长的态势年增，同时第二大市场的伺服器市场，受惠远距沟通及资料传输增加趋势，全球出货量亦可期待，况且商用笔电、Chromebooks受惠于远端工作及教学出货成长，此些产品需求能见度可达2021年第一季，另外消费者购买力随着疫情因素的淡化则有所提升，包括电视、游戏机、网通、车用电子等应用需求逐步回温，加上华为影响将属于短期事件，经过1~2个季度的调整将可望恢復正常，华为版图移转的效应将发生，也就是中国其他客户积极争取华为手机原有的市占率，将可望弥补华为缺口。

综合上述，显然不少被递延的3C需求重新启动，加上晶片大厂推出新平台、及居家办公需求续强，2021年上半年记忆体景气可望正式落底并出现反弹，预计全球DRAM价格将有机会逐季往上。

（作者为台湾经济研究院产经资料库研究员）