650V STP65N045M9與600V STP60N043DM9為首批上市的兩款元件，其單位面積的導通電阻（RDS(on)）非常低，可以最大限度提升功率密度，並有助於縮減系統尺寸。兩款產品的最大導通電阻（RDS(on)max）皆領先同類產品，STP65N045M9為45m歐姆，STP60N043DM9則為43m歐姆。由於閘極電荷（Qg）十分低，在400V汲極電壓時的典型值為80nC，兩款元件皆擁有目前市面上一流的RDS(on)max x Qg品質因數（FoM）。
STP65N045M9的閘極閾開啟電壓（VGS(th)）典型值為3.7V，STP60N043DM9的典型值則為4.0V，相較上一代的MDmesh M5和M6／DM6，可最大限度地降低開關損耗。MDmesh M9和DM9系列的反向恢復電荷（Qrr）和反向恢復時間（trr）亦極低，有助於進一步提升效能和開關性能。
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