《國際產業》獨步全球 三星電子3奈米如期量產

由於3奈米晶片是以GAA架構為主，三星曾表示，與現有FinFET技術的5奈米相比，所需面積最多可減少45%。同時，性能可再提升30%，更能降低多達50%功耗。

從2021年第3季以來，韓國這家全球最大記憶體產品製造商，已陸續跟包括德國科技大廠西門子，以及全球前3大矽智財業者，美國的新思科技(Synopsys)等，一些同屬三星先進製程晶圓代工生態系統(SAFE)的晶圓代工客戶，提供晶片架構設計服務，與台積電互別苗頭意味濃厚。

據悉，全球最大晶圓代工的台積電，計畫在2022下半年開始量產3奈米晶片，2奈米則預定在2025年。根據集邦科技(TrendForce)統計，2022年首季，全球晶圓代工市占率，台積電以過半數53.5%傲視群雄，三星則以16.3%在後苦苦相追，並誓言2030年趕上台積電。

至於更先進的2奈米半導體，三星表示，目前尚處於早期開發階段，計劃2025年實現量產目標。5月時，三星指出還要加強晶片業務投資，且把當業界第一為使命。同時，也會在晶圓代工上拉高市占率，計畫在韓國打造一個無晶圓廠的生態環境，為全球IC設計業者服務。

Daol投資證券直言，與記憶體晶片只有兩種產品DRAM以及NAND不同，高達數千種的非記憶體方面，產品種類以及變化太多，這兩者無法相比。因為，記憶體比較單純，提高效能以及增加量產的難度較低。

根據未來(Mirae)資產證券數據，三星在2017年至2023年期間，資本支出的年複合成長率(CAGR)估計約為7.9%，台積電則是高達30.4%。業內認為，三星要超越台積電，除了不能吝於投資未來外，產品良率也得同步提升才行。