下一代半導體研發園區動工 三星擬投資20兆韓元

這是三星電子自2014年以來時隔8年在國內新建研發中心，該研發園區總面積約10.9萬平方公尺，將主管NAND快閃記憶體、晶圓代工、系統新片等新技術研發。三星電子相關人士表示，若建成具備尖端設備的研發中心，有望縮短新一代產品研發時間，提升半導體品質。

專家指出，李在鎔出席動工儀式意在凸顯其對技術的高度重視，強調只有拉開「超級差距」才能生存下來。