全球半導體產值到2030年可望將達1兆美元,而SEMI預估,AI驅動的半導體產業成長,將佔五成以上。為了持續使晶片微縮成本更具效益,推動摩爾定律的進展。
ASML High NA EUV產品管理副總裁Greet Storms表示,High NA EUV微影技術透過採用新的光學元件,將數值孔徑(numerical aperture)從0.33提升至0.55,提供更高的成像解析度,臨界尺寸(critical dimension, CD)可達到8nm,讓晶片製造商可以在同樣單位面積的晶片上實現較現今高出2.9倍的電晶體密度;且成像對比度較0.33 NA EUV提 40%,可大幅降低成像缺陷。
此外,在先進製程晶片製造中導入EUV技術可簡化製程工序、減少光罩數量,達到產能和良率提升,進而降低生產每片晶圓的用電量。ASML預估,若在先進製程中導入包括EUV和High NA EUV微影系統,到2029年,使用ASML微影技術生產每一片晶圓使用的100度電,將為整體製程節省200度電。
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