《半導體》營運下行風險增多 外資砍力積電目標價至2字頭

美系外資指出，貢獻力積電營收約40％的消費型DRAM定價條件正在惡化，現貨價格折扣達約30％，預期第三、四季售價均可能季減14～16％，且明年單季可能持續下滑。

由於CMOS影像感測元件（CIS）市場需求疲弱，美系外資指出，三星短期內正將CIS產能收回生產DDR3。長期而言，SK海力士及三星並未放棄消費型DRAM市場，正將4GB產品轉換至DDR4。

其次，成熟製程貢獻力積電營收約55％，美系外資認為，力積電主要客戶重新談判長約（LTA）價格、試圖提前重新安排訂單的風險正在顯現。由於成熟製程至少未來2～3季供過於求，認為力積電同意重新談判只是時間問題，使營收及毛利率面臨更大的下行風險。

同時，美系外資認為力積電明年不僅是面對產業低迷，還涉及銅鑼P5廠投資和晶合集成（Nexchip）競爭等更多特有問題。銅鑼P5廠擴產明年估將虧損30億元、約達營業利益的20～25％，且在2024年前很難達到損平，晶合集成激進的擴產計畫則是另一個長期威脅。

由於調降消費型DRAM價格預期，美系外資將力積電第三、四季獲利預期分別調降1％及6％。同時認為由於力積電積極擴產、利基型DRAM售價疲弱及產能定價能力減弱，認為市場高估力積電明後2年毛利率，市場共識存在下行風險。

儘管力積電股價今年以來已腰斬，遠高於大盤的下跌18％，但美系外資認為力積電下行空間更大，維持「遜於大盤」評等，並將目標價自33元調降至27元。美系外資對力積電明年毛利率預期低於市場共識5.6個百分點，明後年每股盈餘預期則較市場共識低37％、20％。