近幾年,三星在先進製程技術一直落後台積電,因為良率陷入瓶頸而無法有所突破。韓媒Naver報導,三星已與美國公司 Silicon Frontline Technology 擴大合作,提高半導體晶片在製造過程中的良率,希望一舉超車勁敵台積電。

報導指出,三星先進製程良率低迷,5奈米、4奈米節點的良率問題遲遲無法改善,而3奈米推出以來情況變得更糟,據傳三星3奈米良率不超過 20%,量產進度再度踢鐵板,因此爭取主流晶片廠商訂單,尚未取得重大進展。

三星代工晶片頻傳過熱問題,高通旗艦晶片「Snapdragon 8 Gen 1」和「Snapdragon 888」表現翻車,所以高通決定跟三星說掰掰,新款 「Snapdragon 8 Gen 2」晶片改由台積電獨家生產,輝達 RTX 4000 系列 GPU 也採用台積電 5 奈米製程量產。三星失去美國大廠訂單,正在努力尋求解決這些問題的方案。

美國公司Silicon Frontline在半導體設計和驗證解決方面,擁有專業經驗,能提供晶片資格評估和靜電放電(ESD)預防技術。ESD是導致半導體晶片缺陷主要原因之一,由製造過程中設備與金屬之間的摩擦引起。

報導提到,三星在晶片設計和生產過程中與Silicon Frontline長期合作,並取得了令人滿意的結果。

如果三星設法提高未來晶片製造工藝的性能奏效,結合其3奈米GAA架構,三星在高階晶片代工可望與台積電再次競逐,並搶下超微、輝達和高通等大客戶訂單。高通已提到,雙代工廠採購為戰略之一,意味著可能會與三星重新合作。

BBC先前報導,台灣南台科技大學朱岳中助理教授表示,這些年,三星在先進製程技術企圖彎道超車台積電,拚博誰的製程比較快,其實意義不大,雙方技術競逐最大關鍵只有「良率」,因為良率等同廠商的成本,與產品的效能有關,這是產品能不能銷售出去的重點。

#3奈米 #台積電 #三星 #先進製程 #良率