受美國晶片禁令制裁的大陸電信設備廠華為,傳出與中芯國際合作的自研晶片進度大躍進,最快今年以7奈米製程生產自主設計的5G晶片。但有外媒示警,中芯生產的晶片,良率估計不到50%,可能使出貨量受影響;TechInsights報告則稱,初期影像顯示中芯幾乎「抄襲台積電」的7奈米製程,恐引發智財權爭端。

根據日經亞洲報導,自2020年美國切斷華為獲得關鍵技術和重要全球供應商的管道以來,華為一直無法生產尖端手機晶片。知情人士透露,華為與中芯國際有意在未來幾個月開始生產5G晶片,據悉中芯將採用7奈米製程,如果華為5G手機晶片復活,表明其成攻突圍取得重大勝利。

但《路透》引述研究公司說法指出,華為5G晶片將採用中芯N+1製程,由於投產初期晶片良率可能低於50%,預估華為的5G新機出貨量,可能只有200萬至400萬支左右。

至於中芯方面,研機構TechInsights去年7月出具報告,稱2021年7月起中芯出貨7奈米SoC晶片給美國比特幣挖礦公司 MinerVa,但拆解晶片後發現,初期影像顯示中芯幾乎「抄襲台積電」的 7 奈米製程。因此,一旦華為正式出貨,是否引發智財權爭端引發關注。

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