晶圓代工龍頭台積電於美國美西時間26日舉辦2023年北美技術論壇,會中揭示其最新的技術發展,包括2奈米技術進展及業界領先的3奈米技術家族新成員,以提供廣泛的技術組合滿足客戶多樣化的需求,其中包括支援更佳功耗、效能與密度的強化版N3P製程、為高效能運算(HPC)應用量身打造的N3X製程、以及支援車用客戶及早採用業界最先進製程技術的N3AE解決方案。
台積電北美技術論壇於美國加州聖塔克拉拉市舉行,共計超過1,600位客戶及合作夥伴報名參與,為接下來幾個月陸續登場的全球技術論壇揭開序幕。而台積電在北美技術論壇亦設置創新專區,展示18家新興客戶令人期待的創新技術。
台積電總裁魏哲家表示,客戶從未停止尋找新方法,以利用晶片的力量為世界帶來令人驚歎的創新,並創造更美好的未來。憑藉著相同的精神,台積電也持續成長進步,加強並推進製程技術,提高效能、功耗效率及功能性,協助客戶在未來持續釋放更多的創新。
隨著3奈米N3製程已進入量產,強化版N3E製程預計將於2023年量產,台積電推出更多3奈米技術家族成員以滿足客戶多樣化的需求。包括N3P製程預計於2024年下半年進入量產,相較於N3E能在在相同漏電下速度增快5%,在相同速度下功耗降低5%~10%,晶片密度增加4%。
N3X製程著重於效能與最大時脈頻率以支援HPC運算應用,相較於N3P,在驅動電壓1.2伏特下速度增快5%,並擁有相同的晶片密度提升幅度,預計於2025年進入量產。N3AE將提供以N3E為基礎的汽車製程設計套件(PDK),預計於2023年推出,讓客戶能夠提早採用3奈米技術來設計汽車應用產品,以便於2025年及時採用屆時已全面通過汽車製程驗證的N3A製程。
台積電亦宣布2奈米技術開發進展良好,採用奈米片(nanosheet)電晶體架構,在良率與元件效能上皆展現良好的進展,將如期於2025年量產。相較於N3E製程,在相同功耗下速度最快將可增加至15%,在相同速度下功耗最多可降低30%,同時晶片密度增加大於15%。
台積電也針對CMOS射頻技術發表最新產能並推進到極限,台積電在2021年推出N6RF射頻製程技術後,進一步開發4奈米N4PRF製程,此為業界最先進的CMOS射頻技術,以支援WiFi 7射頻系統單晶片等數位密集型的射頻應用,與上代製程相較邏輯密度增加77%,且在相同速度下功耗降低45%。
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